アズワン 4インチNi（スパッタ）膜付きウェーハ（300nm 研究用[P（100） 1-100Ω] 片面ミラーDF品 25枚入
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●研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。●サイズ：4インチシリコンウェハ●Ni（ニッケル）【スパッタ】膜厚み：300nm狙い（データ付き）●直径（mm）：100.0±0.2●ウェハー厚（μm）：525±25●製造方法：CZ法●導電型：P型●面方位：100●抵抗値（Ω・cm）：1〜100●OF長（mm）：32.5±2.5●面状態：ミラー／エッチド●パーティクル：ダ...
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アズワン 4インチGe（スパッタ）膜付きウェーハ（300nm 研究用[P（100） 1-100Ω] 片面ミラーDF品 25枚入
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●研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。●サイズ：4インチシリコンウェハ●Ge（ゲルマニウム）【スパッタ】膜厚み：300nm狙い（データ付き）●直径（mm）：100.0±0.2●ウェハー厚（μm）：525±25●製造方法：CZ法●導電型：P型●面方位：100●抵抗値（Ω・cm）：1〜100●OF長（mm）：32.5±2.5●面状態：ミラー／エッチド●パーティクル...
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アズワン 4インチW（スパッタ）膜付きウェーハ（300nm 研究用[P（100） 1-100Ω] 片面ミラーDF品 25枚入
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●研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。●サイズ：4インチシリコンウェハ●W（タングステン）【スパッタ】膜厚み：200nm狙い（データ付き）●直径（mm）：100.0±0.2●ウェハー厚（μm）：525±25●製造方法：CZ法●導電型：P型●面方位：100●抵抗値（Ω・cm）：1〜100●OF長（mm）：32.5±2.5●面状態：ミラー／エッチド●パーティクル：...
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アズワン 4インチAl（スパッタ）膜付きウェーハ（300nm 研究用[P（100） 1-100Ω] 片面ミラーDF品 25枚入
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●研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。●サイズ：4インチシリコンウェハ●Al（アルミニウム）【スパッタ】膜厚み：300nm狙い（データ付き）●直径（mm）：100.0±0.2●ウェハー厚（μm）：525±25●製造方法：CZ法●導電型：P型●面方位：100●抵抗値（Ω・cm）：1〜100●OF長（mm）：32.5±2.5●面状態：ミラー／エッチド●パーティクル...
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アズワン 4インチSi（スパッタ）膜付きウェーハ（300nm 研究用[P（100） 1-100Ω] 片面ミラーDF品 25枚入
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●研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。●サイズ：4インチシリコンウェハ●Si（シリコン）【スパッタ】膜厚み：300nm狙い（データ付き）●直径（mm）：100.0±0.2●ウェハー厚（μm）：525±25●製造方法：CZ法●導電型：P型●面方位：100●抵抗値（Ω・cm）：1〜100●OF長（mm）：32.5±2.5●面状態：ミラー／エッチド●パーティクル：ダ...
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アズワン 4インチTa（スパッタ）膜付きウェーハ（300nm 研究用[P（100） 1-100Ω] 片面ミラーDF品 25枚入
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●研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。●サイズ：4インチシリコンウェハ●Ta（タンタル）【スパッタ】膜厚み：300nm狙い（データ付き）●直径（mm）：100.0±0.2●ウェハー厚（μm）：525±25●製造方法：CZ法●導電型：P型●面方位：100●抵抗値（Ω・cm）：1〜100●OF長（mm）：32.5±2.5●面状態：ミラー／エッチド●パーティクル：ダ...
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アズワン 4インチAlN（スパッタ）膜付きウェーハ（300nm 研究用[P（100） 1-100Ω] 片面ミラーDF品 25枚入
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●研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。●サイズ：4インチシリコンウェハ●AlN（窒化アルミニウム）【スパッタ】膜厚み：300nm狙い（データ付き）●直径（mm）：100.0±0.2●ウェハー厚（μm）：525±25●製造方法：CZ法●導電型：P型●面方位：100●抵抗値（Ω・cm）：1〜100●OF長（mm）：32.5±2.5●面状態：ミラー／エッチド●パーテ...
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アズワン 4インチAg（スパッタ）膜付きウェーハ（300nm 研究用[P（100） 1-100Ω] 片面ミラーDF品 25枚入
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●研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。●サイズ：4インチシリコンウェハ●Ag（銀）【スパッタ】膜厚み：300nm狙い（データ付き）●直径（mm）：100.0±0.2●ウェハー厚（μm）：525±25●製造方法：CZ法●導電型：P型●面方位：100●抵抗値（Ω・cm）：1〜100●OF長（mm）：32.5±2.5●面状態：ミラー／エッチド●パーティクル：ダストフ...
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Siemens アイソレータスイッチ補助コンタクト Siemens 端子台 3KC トランスファースイッチング機器用 310mm Sentr...
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●Siemens SENTRON 3KC 転送スイッチング機器は、動作電圧 415 V、3 極で手動で動作します。●前面動作機構付きのねじ取り付け式です。●スイッチの作動機構の位置は左側にあります●IP00 保護クラスに属しており、建物や産業における安全で効率的な電気インフラストラクチャのために、保護、スイッチング、測定、監視デバイス、配電システム、スイッチ、ソケットの包括的なポートフォリオを提供...
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ADVANTEC KSS-410用ベースプレート 19309101
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●材質：SUS304入数:1個／...
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アズワン 6インチPE-SiO2（PE-CVD）膜付きウェーハ（900nm 研究用[P（100） 1-100Ω] 片面ミラーDF品 25枚入
価格：2,580,480 円
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●研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。●サイズ：6インチシリコンウェハ●SiO2【PE-CVD】膜厚み：900nm狙い（データ付き）●直径（mm）：150.0±0.5●ウェハー厚（μm）：625±25●製造方法：CZ法●導電型：P型●面方位：100●抵抗値（Ω・cm）：1〜100●OF長（mm）：47.5±2.5●面状態：ミラー／エッチド●パーティクル：ダスト...
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アズワン 6インチ PE-SiN（PE-CVD）膜付きウェーハ（1000nm（1μm） 研究用[P（100） 1-100Ω] 片面ミラーDF...
価格：2,580,480 円
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●研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。●サイズ：6インチシリコンウェハ●SiN（シリコンナイトライド）【PE-CVD】膜厚み：1000nm狙い（データ付き）●直径（mm）：150.0±0.5●ウェハー厚（μm）：625±25●製造方法：CZ法●導電型：P型●面方位：100●抵抗値（Ω・cm）：1〜100●OF長（mm）：47.5±2.5●面状態：ミラー／エッチ...
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アズワン 6インチ PE-SiN（PE-CVD）膜付きウェーハ（900nm 研究用[P（100） 1-100Ω] 片面ミラーDF品 25枚入
価格：2,580,480 円
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●研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。●サイズ：6インチシリコンウェハ●SiN（シリコンナイトライド）【PE-CVD】膜厚み：900nm狙い（データ付き）●直径（mm）：150.0±0.5●ウェハー厚（μm）：625±25●製造方法：CZ法●導電型：P型●面方位：100●抵抗値（Ω・cm）：1〜100●OF長（mm）：47.5±2.5●面状態：ミラー／エッチド...
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アズワン 6インチPE-SiO2（PE-CVD）膜付きウェーハ（1000nm（1μm） 研究用[P（100） 1-100Ω] 片面ミラーDF...
価格：2,580,480 円
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●研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。●サイズ：6インチシリコンウェハ●SiO2【PE-CVD】膜厚み：1000nm狙い（データ付き）●直径（mm）：150.0±0.5●ウェハー厚（μm）：625±25●製造方法：CZ法●導電型：P型●面方位：100●抵抗値（Ω・cm）：1〜100●OF長（mm）：47.5±2.5●面状態：ミラー／エッチド●パーティクル：ダス...
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カンダ ブース式ドコデモ☆クックオープン 標準仕様 1個 347018
価格：2,579,220 円
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●規格：標準仕様●外幅×奥行×高さ（mm）：2380×1090×H1980●材質：標準仕様：18-8ステンレス、木材●※標準仕様にはシェードは付属しません。別売のドコデモ☆クック用シェードをご購入ください。●カウンターから生まれるコミュニケーション●ひらいて、組み立てる。今までになかったカタチ。運んで、組み立てて、自由に展開できるキッチン〈ドコデモ☆クック? オープン〉。収納した状態は、まるでワゴ...
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Siemens PLCアクセサリ Siemens ソフトウェア SIMATIC用 1個 6AV66131GA513CA0
価格：2,576,700 円
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●アクセサリタイプ：ソフトウェア●製品シリーズ：SIMATIC●シリーズ：SIMATIC●使用用途：SIMATIC●寸法：0.268×0.184×0.032 m●コード番号：256021...
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医療機器 イオノソンEX 超音波搭載型
価格：2,574,000 円
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干渉低周波治療器,イオノソンEX 【商品説明】 ●医療機器: 218ACBZX00012000 ●(218ACBZX00012000) ●より力強く、深部に到達する為に…超音波搭載型「イオノソンEX」、登場。 ●これにより、電気と超音波のコンビネーションが可能となります。 ●電源:AC100V、50Hz/60Hz ●消費電力:86VA ●発振周波数:低周波1~300Hz±15%、干渉波4K~9.5...
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VISHAY ノブ 6.35mm 直径：22.5mm 1箱（100個入） 50A21B010 1箱(100個入)
価格：2,569,140 円
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●ロックキー、位置決めプレート、取り付け説明書●多回転デジタル機構モデル50●黒のデザインに白のデジタルマーキング付き 微調整用の追加目盛り 位置固定用の非突出型ロックブレーキ●入数：1箱（100個入）●シャフトサイズ：6.35mm●ノブ直径：22.5mm●ノブ高さ：33.9mm●ボディカラー：黒●ノブ種類：ダイヤル●RoHS適合状況：適合●コード番号：169-313...
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アズワン 303切板 1200×2300×30mm 303010-T30-W1200-L2300 1個
価格：2,568,048 円
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●オーステナイト系ステンレスに分類され、切削性が良いステンレスです。●材質：SUS303●比重：7.93●巾：1200mm●長さ：2300mm●板厚：30m...
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アイ・オー・データ機器 10GbE Linux OS 法人6ドライブBOXタイプNAS 120TB （5年保証・データ復旧） 入数:1台 H...
価格：2,561,580 円
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●高い保証レベルでの安心を実現した「5年保証」+「データ復旧サービス」を標準添付。超高速10GbEに対応したハイパフォーマンス法人向けNASです。高速ネットワーク性能を最大限に引き出すため、サーバーグレードのパーツを採用。急激に大容量化が進むこれからのオフィス環境に欠かせないデータ保存環境を提供します。さらに、RAIDに替わるアイオー独自の冗長化テクノロジー「拡張ボリューム」と必要な機能をあとから...
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Siemens 監視リレー モニタリングリレー Siemens 1個 7SR5430-3AA26-0AA0
価格：2,547,720 円
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●電源相数：3●取り付けタイプ：DINレール●コード番号：275220...
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Siemens HMIアクセサリ Siemens ソフトウェア V7.5 SIMATIC IPC用 1個 6AV63812BH075AX0
価格：2,545,200 円
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●アクセサリタイプ：ソフトウェア●HMI用途：SIMATIC IPC●PLC用途：SIMATIC S7●ソフトウェアバージョン：V7.5●コード番号：251678...
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アズワン 4インチAlN（スパッタ）膜付きウェーハ（200nm 研究用[P（100） 1-100Ω] 片面ミラーDF品 25枚入
価格：2,535,120 円
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●研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。●サイズ：4インチシリコンウェハ●AlN（窒化アルミニウム）【スパッタ】膜厚み：200nm狙い（データ付き）●直径（mm）：100.0±0.2●ウェハー厚（μm）：525±25●製造方法：CZ法●導電型：P型●面方位：100●抵抗値（Ω・cm）：1〜100●OF長（mm）：32.5±2.5●面状態：ミラー／エッチド●パーテ...
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アズワン 4インチAg（スパッタ）膜付きウェーハ（200nm 研究用[P（100） 1-100Ω] 片面ミラーDF品 25枚入
価格：2,535,120 円
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●研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。●サイズ：4インチシリコンウェハ●Ag（銀）【スパッタ】膜厚み：200nm狙い（データ付き）●直径（mm）：100.0±0.2●ウェハー厚（μm）：525±25●製造方法：CZ法●導電型：P型●面方位：100●抵抗値（Ω・cm）：1〜100●OF長（mm）：32.5±2.5●面状態：ミラー／エッチド●パーティクル：ダストフ...
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アズワン 4インチTiN（スパッタ）膜付きウェーハ（200nm 研究用[P（100） 1-100Ω] 片面ミラーDF品 25枚入
価格：2,535,120 円
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●研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。●サイズ：4インチシリコンウェハ●TiN（窒化チタン）【スパッタ】膜厚み：200nm狙い（データ付き）●直径（mm）：100.0±0.2●ウェハー厚（μm）：525±25●製造方法：CZ法●導電型：P型●面方位：100●抵抗値（Ω・cm）：1〜100●OF長（mm）：32.5±2.5●面状態：ミラー／エッチド●パーティクル...
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アズワン 4インチGe（スパッタ）膜付きウェーハ（200nm 研究用[P（100） 1-100Ω] 片面ミラーDF品 25枚入
価格：2,535,120 円
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●研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。●サイズ：4インチシリコンウェハ●Ge（ゲルマニウム）【スパッタ】膜厚み：200nm狙い（データ付き）●直径（mm）：100.0±0.2●ウェハー厚（μm）：525±25●製造方法：CZ法●導電型：P型●面方位：100●抵抗値（Ω・cm）：1〜100●OF長（mm）：32.5±2.5●面状態：ミラー／エッチド●パーティクル...
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アズワン 4インチTa（スパッタ）膜付きウェーハ（200nm 研究用[P（100） 1-100Ω] 片面ミラーDF品 25枚入
価格：2,535,120 円
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●研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。●サイズ：4インチシリコンウェハ●Ta（タンタル）【スパッタ】膜厚み：200nm狙い（データ付き）●直径（mm）：100.0±0.2●ウェハー厚（μm）：525±25●製造方法：CZ法●導電型：P型●面方位：100●抵抗値（Ω・cm）：1〜100●OF長（mm）：32.5±2.5●面状態：ミラー／エッチド●パーティクル：ダ...
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アズワン 4インチW（スパッタ）膜付きウェーハ（200nm 研究用[P（100） 1-100Ω] 片面ミラーDF品 25枚入
価格：2,535,120 円
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●研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。●サイズ：4インチシリコンウェハ●W（タングステン）【スパッタ】膜厚み：200nm狙い（データ付き）●直径（mm）：100.0±0.2●ウェハー厚（μm）：525±25●製造方法：CZ法●導電型：P型●面方位：100●抵抗値（Ω・cm）：1〜100●OF長（mm）：32.5±2.5●面状態：ミラー／エッチド●パーティクル：...
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アズワン 4インチAl（スパッタ）膜付きウェーハ（200nm 研究用[P（100） 1-100Ω] 片面ミラーDF品 25枚入
価格：2,535,120 円
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●研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。●サイズ：4インチシリコンウェハ●Al（アルミニウム）【スパッタ】膜厚み：200nm狙い（データ付き）●直径（mm）：100.0±0.2●ウェハー厚（μm）：525±25●製造方法：CZ法●導電型：P型●面方位：100●抵抗値（Ω・cm）：1〜100●OF長（mm）：32.5±2.5●面状態：ミラー／エッチド●パーティクル...
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アズワン 4インチNi（スパッタ）膜付きウェーハ（200nm 研究用[P（100） 1-100Ω] 片面ミラーDF品 25枚入
価格：2,535,120 円
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●研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。●サイズ：4インチシリコンウェハ●Ni（ニッケル）【スパッタ】膜厚み：200nm狙い（データ付き）●直径（mm）：100.0±0.2●ウェハー厚（μm）：525±25●製造方法：CZ法●導電型：P型●面方位：100●抵抗値（Ω・cm）：1〜100●OF長（mm）：32.5±2.5●面状態：ミラー／エッチド●パーティクル：ダ...
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